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      硅清洗技术经历了持续的发展改进，包括早期用气相等效物替代在湿***中进行的部分清洗操作。难以置信的是，现代***的Si清洗仍然依赖于大体上同一组化学溶液，不过它们的制备和送至晶圆的方法与期初提出的已大不相同。此外，传统上用湿清洗***做的表面选择清洗/修整功能现在是在气相中做的。

苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、pp/pvc通风柜/厨、cds***集中供液系统解决方案

     为了应对硅表面的非平面性问题，晶圆清洗技术至少受到三个不同前沿加工技术的挑战。首先涉及的是CMOS加工。在器件几何形状不断减小时，数字CMOS技术方面的挑战是保持栅结构有足够的电容密度，这是在栅长度减小时维持足够高驱动电流所需要的。一个途径是采用比SiO2介电常数高的栅电介质，另一途径是通过三维结构MOS栅极以增加栅面积又不增加单元电路面积，再一个途径就是二者的结合。

清洗的注意事项：

(1) 设备运行时，腔体内必须放卡塞,否则由于平衡***造成设备损坏或精度降低；

(2)晶片必须均匀放置在卡塞内，尽量保证首尾重力平衡；

(3)卡塞放置在腔体内时，片子正面应朝向观察窗一侧；

(4)设备运行中不得试图打开密封门盖，否则会造***体伤害或机器损坏。

苏州晶淼半导体设备有限公司致力于向客户提供湿法制程刻蚀设备、清洗设备、pp/pvc通风柜/厨、cds***集中供液系统解决方案。我们的每台设备除标准化制作外，还可根据客户的工艺需求和工作环境的具体要求，对设备进行人性化、个性化设计，极大限度的将客户的想法转化为实际应用。能完全满足规模化生产和研发需求。

干法清洗：

　　对于已经氢还原的MCP,因为二次电子发射层已经形成,如果采用化学清洗或湿法清洗容易造成对MCP电性能的***,并可能产生清洗介质对MCP的再次污染。因此氢还原后的MCP,一般选用干法清洗,主要包括等离子清洗、辉光放电、紫外清洗等清洗技术。

传统真空干燥工艺的缺陷在哪？

超级电容、电容以及锂离子电池行业的众多生产厂家基本采用了传统的真空干燥方法。

这里指的传统真空干燥方法，是指单一真空干燥功能、单一工序的、打开密封门即进入大气环境的真空干燥方式。

这样大家就比较容易找到传统的真空干燥方法的缺点：就是从一个工序转移到下一道工序时，超级电容CELL在这个时间段又暴露在大气环境中，从而导致水份、空气再次进入CELL。

水份、空气再次导入CELL，从而在制造过程中就使超级电容CELL先天不足，提高MODULES的各项性能和技术指标亦然成为伪命